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NTH4L032N065M3S_V01中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L032N065M3S_V01
廠商型號

NTH4L032N065M3S_V01
功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L
文件大小

353.32 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-7 12:00:00

NTH4L032N065M3S_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF)

? 100% Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

? SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storage, EV Charging

Infrastructure

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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