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NTJD2152PT1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection新征途電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
NTJD2152PT1G
- 功能描述:
MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市新征途電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
莊先生
- 手機(jī):
13049890950
- 詢價(jià):
- 電話:
13049890950
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路7號(hào)鼎誠國際大廈1905
相近型號(hào)
- NTJD3115PT1G
- NTJD3152PT1G
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- NTI-400-T1
- NTJD4105CT1
- NTI-400
- NTJD4105CT1G
- NTI-312-T1
- NTI-310-T1
- NTJD4105CT1GIC
- NTI06JR10TRF
- NTJD4105CT1GMOS()
- NTI06J68NTRF
- NTI06J56NTRF
- NTI06J47NTRF
- NTI06J39NTRF