首頁>NTLGD3502NT2G>詳情

NTLGD3502NT2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M勝彬電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NTLGD3502NT2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫存數(shù)量：

    3000

  • 產(chǎn)品封裝：

    DFN-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 16:42:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NTLGD3502NT2G品牌：ON

原裝正品,支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào)：

    NTLGD3502NT2G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    87.65 kb

  • 資料說明：

    Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N??hannel, DFN6 3x3 mm Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTLGD3502NT2G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勝彬電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    段小姐

  • 手機(jī)：

    18902465585

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83135478

  • 傳真：

    0755-82780849

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)觀湖街道環(huán)觀南路94號(hào)德盛昌大廈10樓1010/深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1101

相近型號(hào)