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NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N?ChannelEnhancement?ModeTO?220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement?Mode TO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP30N20_V01	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement?Mode TO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Enhancement??ode TO??20 N?ChannelEnhancement?ModeTO?220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement?Mode TO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancement?ModeTO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FTW30N20A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
MSAER30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTE30N20FP	文件：446.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH30N20	文件：293.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTB30N20	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTB30N20	文件：85.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN??hannelEnhancement??odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
NTP30N20
功能描述：
MOSFET 200V 30A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多NTP30N20供應商更新時間2025-1-10 15:30:00

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