首頁>NV24C512MUW3VTBG>規(guī)格書詳情
NV24C512MUW3VTBG集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NV24C512MUW3VTBG |
| 參數(shù)屬性 | NV24C512MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
| 功能描述 | EEPROM |
| 文件大小 |
201.06 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-27 12:00:00 |
NV24C512MUW3VTBG規(guī)格書詳情
NV24C512MUW3VTBG屬于集成電路（IC）的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV24C512MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NV24C512MUW3VTBG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
EEPROM
- 技術(shù)：
EEPROM
- 存儲(chǔ)容量：
512Kb（64K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
I2C
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
5ms
- 電壓 - 供電：
2.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-UDFN（2x3）
- 描述：
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOIC-8 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
SOIC-8 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
SOIC-8 |
15000 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
NA |
9000 |
全新、原裝 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
2021+ |
SOIC-8 |
499 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
SOIC-8 |
28929 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
onsemi(安森美) |
23+ |
DFN8(2x3) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ON |
新批次 |
SOIC-8 |
4326 |
詢價(jià) |
