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NV24M01MUW3VTBG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
NV24M01MUW3VTBG |
參數(shù)屬性 | NV24M01MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
功能描述 | EEPROM |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | UDFN8 / 8-UFDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
195.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-4 23:00:00 |
NV24M01MUW3VTBG規(guī)格書詳情
NV24M01MUW3VTBG屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV24M01MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NV24M01MUW3VTBG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
EEPROM
- 技術(shù):
EEPROM
- 存儲(chǔ)容量:
1Mb(128K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
I2C
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
5ms
- 電壓 - 供電:
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-UDFN(2x3)
- 描述:
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TSSOP8 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
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6000 |
誠信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
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詢價(jià) | ||
TAMA |
24+ |
3000 |
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詢價(jià) | |||
onsemi |
2年內(nèi)批號(hào) |
8-UDFN(2x3) |
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三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) |