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NV24M01MUW3VTBG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

NV24M01MUW3VTBG
廠商型號(hào)

NV24M01MUW3VTBG

參數(shù)屬性

NV24M01MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

功能描述

EEPROM
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

絲印標(biāo)識(shí)

CAW

封裝外殼

UDFN8 / 8-UFDFN 裸露焊盤

文件大小

195.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 23:00:00

NV24M01MUW3VTBG規(guī)格書詳情

NV24M01MUW3VTBG屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV24M01MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NV24M01MUW3VTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-UFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-UDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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