NV25010DWVLT3G 集成電路（IC）存儲器 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NV25010DWVLT3G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ONSEMI/安森美半導體
庫存數(shù)量：
9350
產品封裝：
-
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-27 14:56:00

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原廠料號：NV25010DWVLT3G品牌：onsemi

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NV25010DWVLT3G是集成電路（IC） > 存儲器。制造商onsemi生產封裝-/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的NV25010DWVLT3G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
NV25010DWVLT3G
規(guī)格書：
下載
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
14 頁
文件大小：
312.42 kb
資料說明：
EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI Low Voltage Automotive Grade 1

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NV25010DWVLT3G
制造商：
onsemi
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
EEPROM
技術：
EEPROM
存儲容量：
1Kb（128 x 8）
存儲器接口：
SPI
寫周期時間 - 字，頁：
4ms
電壓 - 供電：
1.7V ~ 5.5V
工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：
8-SOIC
描述：
1KB SPI SER CMOS EEPROM -LOW VCC

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

NV25010DWVLT3G 集成電路（IC）存儲器 ONSEMI/安森美半導體

NV25010DWVLT3G

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