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NVBG015N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem

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NVBG015N065SC1

MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 m, 145 A

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NVBG015N065SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexem

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NTBG015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

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NTBG015N065SC1

MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L650V,12m,145A

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NTBG015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,12mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

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NTHL015N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsec

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
23+
D2PAK7 (TO-263-7L HV)
100000
全新原裝
詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
D2PAK-7
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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ON
23+
原廠原封
800
訂貨1周 原裝正品
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ON/安森美
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24000
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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D2PAK-7L
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原廠正品現(xiàn)貨SiC MOSFET全系列
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更多NVBG015N065SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00