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NVBG020N120SC1

Marking：NVBG020120SC1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=20m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=220nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=258pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondleve

ONSEMION Semiconductor

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更多NVBG020120SC1供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 14:16:00

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