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NVBG040N120SC1

Marking:NVBG040120SC1;Package:D2PAK-7L;Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=40m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondleve

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NVBG040120SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00