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NVBG080N120SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVBG080N120SC1_V01
廠商型號

NVBG080N120SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

323.41 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-21 18:30:00

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NVBG080N120SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 80 m

? Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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