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NVD5C464NL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NVD5C464NL |
參數(shù)屬性 | NVD5C464NL 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:T6 40V DPAK EXPANSION AND |
功能描述 | Power MOSFET 40 V, 5.2 m, 64 A, Single N??hannel |
文件大小 |
241.8 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-21 23:00:00 |
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NVD5C464NL規(guī)格書詳情
NVD5C464NL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5C464NL晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Features
? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NVD5C464NLT4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
18A(Ta),64A(Tc)
- 描述:
T6 40V DPAK EXPANSION AND
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DPAK3 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ON |
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1500 |
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詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ONSEMI/安森美 |
兩年內(nèi) |
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ONSEMI/安森美 |
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TO-252 |
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ON Semiconductor |
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DPAK |
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ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
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詢價(jià) |