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NVD5890NT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NVD5890NT4G |
| 參數(shù)屬性 | NVD5890NT4G 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A |
| 功能描述 | Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK |
| 文件大小 |
116.93 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-22 10:38:00 |
NVD5890NT4G規(guī)格書(shū)詳情
NVD5890NT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5890NT4G晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NVD5890NT4G-VF01
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 描述：
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
DPAK-3 |
360000 |
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
5590 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
DPAK-3 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
6000 |
詢價(jià) | |||||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-252 |
50000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) |
