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NVH4L050N170M1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 53mohm, 1700V, M1, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=53m@VGS=20V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=98pF) ?100%AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoardCharger ?Automotive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NVH4L050N170M1供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 14:16:00

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