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NVLJWD023N04CLTAG

Marking：023N；Package：WDFNW6；MOSFET – Power, Dual N-Channel 40 V, 23 m, 25 A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BSZ023N04LS

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB023N04N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB023N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP023N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NVLJWD023N04CL

MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TF023N04NG

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司

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更多NVLJWD023N04CLTAG供應商 更新時間2025-2-7 14:27:00

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