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TF023N04NG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF023N04NGusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchin

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

BSZ023N04LS

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB023N04N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB023N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP023N04N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP023N04NG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NVLJWD023N04CL

MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVLJWD023N04CLTAG

MOSFET–Power,DualN-Channel40V,23m,25A

Features ?SmallFootprintforCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán)
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更多TF023N04NG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 16:00:00