NVMD3P03R2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號：NVMD3P03R2G品牌：ON(安森美)

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NVMD3P03R2G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/的NVMD3P03R2G晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

• 芯片型號：

  NVMD3P03R2G

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  6 頁

• 文件大小：

  116.48 kb

• 資料說明：

  Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8