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NVMFD5C668NLWFT1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

NVMFD5C668NLWFT1G
廠商型號

NVMFD5C668NLWFT1G
參數(shù)屬性

NVMFD5C668NLWFT1G 包裝為卷帶（TR）卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列；產(chǎn)品描述：T6 60V S08FL DUAL
功能描述

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 6.5 m, 68 A
T6 60V S08FL DUAL
文件大小

230.69 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-4 20:00:00

NVMFD5C668NLWFT1G規(guī)格書詳情

NVMFD5C668NLWFT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NVMFD5C668NLWFT1G晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? NVMFD5C668NLWF ? Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NVMFD5C668NLWFT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）卷帶（TR）

  • 描述：

    T6 60V S08FL DUAL

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
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NA/
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