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NXH003P120M3F2PTNG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NXH003P120M3F2PTNG
廠商型號

NXH003P120M3F2PTNG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 3 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with Si3N4 DBC

絲印標(biāo)識

NXH003P120M3F2PTNG

封裝外殼

PIM36

文件大小

2.05307 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 11:27:00

NXH003P120M3F2PTNG規(guī)格書詳情

The NXH003P120M3F2PTNG is a power module containing 3 m /

1200 V SiC MOSFET half?bridge and a thermistor with Si3N4 DBC in

an F2 package.

Features

? 3 m / 1200 V M3S SiC MOSFET Half?Bridge

? Si3N4 DBC

? Thermistor

? Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM)

? Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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