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NXH003P120M3F2PTNG

Marking：NXH003P120M3F2PTNG；Package：PIM36；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 3 mohm SiC M3 MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with Si3N4 DBC

TheNXH003P120M3F2PTNGisapowermodulecontaining3m/ 1200VSiCMOSFEThalf?bridgeandathermistorwithSi3N4DBCin anF2package. Features ?3m/1200VM3SSiCMOSFETHalf?Bridge ?Si3N4DBC ?Thermistor ?Pre?AppliedThermalInterfaceMaterial(TIM) ?Press?FitPins ?These

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NXH003P120M3F2PTNG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-14 16:24:00

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