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NXH006P120M3F2PTHG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NXH006P120M3F2PTHG
廠商型號(hào)

NXH006P120M3F2PTHG
功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 6 mohm, 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package with HPS DBC
文件大小

407.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

NXH006P120M3F2PTHG規(guī)格書詳情

The NXH006P120M3F2PTHG is a power module containing 6 m /

1200 V SiC MOSFET half?bridge and a thermistor with HPS DBC in

an F2 package.

Features

? 6 m / 1200 V M3S SiC MOSFET Half?Bridge

? HPS DBC

? Thermistor

? Pre?Applied Thermal Interface Material (TIM)

? Press?Fit Pins

? These Devices are Pb?Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

? Electric Vehicle Charging Stations

? Industrial Power

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