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NXH011F120M3F2PTHG

Marking：NXH011F120M3F2PTHG；Package：F2FULLBR；Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 11 mohm, 1200 V, SiC M3S MOSFET, Full Bridge, F2 Package

TheNXH011F120M3F2PTHGisapowermodulecontaining 11m/1200VSiCMOSFETfull?bridgeandathermistorwithHPS DBCinanF2package. Features ?11m/1200VM3SSiCMOSFETFull?Bridge ?HPSDBC ?Thermistor ?OptionswithPre?AppliedThermalInterfaceMaterial(TIM)and withoutPre?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多NXH011F120M3F2PTHG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 15:00:00

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