首頁>NXH100B120H3Q0PG>芯片詳情

NXH100B120H3Q0PG 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NXH100B120H3Q0PG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-9 14:37:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NXH100B120H3Q0PG品牌：ON

ON全系列可訂貨

NXH100B120H3Q0PG是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝NA/模塊的NXH100B120H3Q0PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    NXH100B120H3Q0PG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    16 頁

  • 文件大?。?/span>

    1502.6 kb

  • 資料說明：

    Dual Boost Power Module

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NXH100B120H3Q0PG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    22-PIM（55x32.5）

  • 描述：

    PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機：

    17375148621

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82713279

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3011號上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

相近型號