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NXH100B120H3Q0PG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NXH100B120H3Q0PG品牌：onsemi

資料說明：PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

NXH100B120H3Q0PG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝模塊的NXH100B120H3Q0PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    nxh100b120h3q0pg

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXH100B120H3Q0PG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM（55x32.5）

  • 描述：

    PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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原廠原封
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訂貨1周 原裝正品
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ON/安森美
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24000
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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onsemi
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
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25000
ON全系列可訂貨
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