NXH100B120H3Q0PG 分立半導體產品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
NXH100B120H3Q0PG
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
生產廠商：
ON/安森美
庫存數量：
24000
產品封裝：
生產批號：
22+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-1 15:00:00

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詳細信息
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原廠料號：NXH100B120H3Q0PG品牌：ON/安森美

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NXH100B120H3Q0PG是分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ON/安森美/onsemi生產封裝模塊的NXH100B120H3Q0PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋；升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

芯片型號：
NXH100B120H3Q0PG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
16 頁
文件大?。?/span>
1502.6 kb
資料說明：
Dual Boost Power Module

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NXH100B120H3Q0PG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
包裝：
托盤
IGBT 類型：
溝槽型場截止
配置：
2 個獨立式
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，50A
輸入：
標準
NTC 熱敏電阻：
無
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
模塊
供應商器件封裝：
22-PIM（55x32.5）
描述：
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

供應商

企業(yè)：
深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
鄭小姐
手機：
17302646294
詢價：
電話：
0755-83203950/17302646294
傳真：
0755-82716600
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路新華強廣場B座27D

NXH100B120H3Q0PG 分立半導體產品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

NXH100B120H3Q0PG

產品屬性

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