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NXH350N100H4Q2F2P1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH350N100H4Q2F2P1G
廠商型號

NXH350N100H4Q2F2P1G

參數(shù)屬性

NXH350N100H4Q2F2P1G 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

功能描述

Three Level NPC Q2Pack Module
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

絲印標識

NXH350N100H4Q2F2P1G

封裝外殼

Q2PACK / 模塊

文件大小

3.37653 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-10 13:00:00

NXH350N100H4Q2F2P1G規(guī)格書詳情

NXH350N100H4Q2F2P1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NXH350N100H4Q2F2P1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NXH350N100H4Q2F2P1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三級反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,375A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    42-PIM/Q2PACK(93x47)

  • 描述:

    IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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