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NXH350N100H4Q2F2P1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH350N100H4Q2F2P1G
廠商型號

NXH350N100H4Q2F2P1G
參數(shù)屬性

NXH350N100H4Q2F2P1G 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
功能描述

Three Level NPC Q2Pack Module
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
絲印標識

NXH350N100H4Q2F2P1G
封裝外殼

Q2PACK / 模塊
文件大小

2.74812 Mbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-10 13:08:00

NXH350N100H4Q2F2P1G規(guī)格書詳情

NXH350N100H4Q2F2P1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NXH350N100H4Q2F2P1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

This high?density, integrated power module combines

high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation

? Module Design Offers High Power Density

? Low Inductive Layout

? Low Package Height

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

? Solar Inverters

? Uninterruptable Power Supplies Systems

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NXH350N100H4Q2F2P1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    三級反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，375A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    42-PIM/Q2PACK（93x47）

  • 描述：

    IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
22+
NA
640
原裝正品支持實單
 詢價
onsemi
23+
標準封裝
2000
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
 詢價
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價
onsemi
24+
mokuai
962
專注原裝正品代理分銷,認準水星電子
 詢價
onsemi(安森美)
2021+
TMPIM DIP52
499
詢價
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兩年內(nèi)
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