首頁>NXH40B120MNQ0SNG>芯片詳情

NXH40B120MNQ0SNG 分立半導體產品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

圖片僅供參考,請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 產品分類:

    芯片

  • 生產廠商:

    onsemi

  • 庫存數(shù)量:

    2268

  • 產品封裝:

    mokuai

  • 生產批號:

    24+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2025-1-14 16:36:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:NXH40B120MNQ0SNG品牌:onsemi

專注原裝正品代理分銷,認準水星電子

NXH40B120MNQ0SNG是分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商onsemi生產封裝mokuai/模塊的NXH40B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 內容頁數(shù):

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    645.25 kb

  • 資料說明:

    Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    雙路升壓斬波器

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市水星電子有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機:

    13632880560

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-89585609

  • 地址:

    深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號華南國際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號樓B1C177