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NXH40B120MNQ1SNG_V01

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V40mSiCMOSFETs ?LowR

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