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NXH40B120MNQ1SNG_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NXH40B120MNQ1SNG_V01
廠商型號(hào)

NXH40B120MNQ1SNG_V01
功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package
文件大小

923.13 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 18:52:00

NXH40B120MNQ1SNG_V01規(guī)格書詳情

The NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three

channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes

provide lower conduction losses and switching losses, enabling

designers to achieve high efficiency and superior reliability.

Features

? 1200 V 40 m SiC MOSFETs

? Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

? 1200 V Bypass and Anti?parallel Diodes

? Low Inductive Layout

? Solderable Pins

? Thermistor

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS

Compliant

Typical Applications

? Solar Inverters

? Uninterruptable Power Supplies

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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