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NXH40B120MNQ0SNG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH40B120MNQ0SNG
廠商型號

NXH40B120MNQ0SNG

參數(shù)屬性

NXH40B120MNQ0SNG 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package
80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

絲印標識

NXH40B120MNQ0SNG

封裝外殼

Q0PACK / 模塊

文件大小

645.25 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:00:00

NXH40B120MNQ0SNG規(guī)格書詳情

NXH40B120MNQ0SNG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH40B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Description

The NXH40B120MNQ0SNG is a power module containing a dual

boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide

lower conduction losses and switching losses, enabling designers to

achieve high efficiency and superior reliability.

Features

? 1200 V, 40 m SiC MOSFETs

? Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

? 1200 V Bypass and Anti?parallel Diodes

? Low Inductive Layout

? Solder Pins

? Thermistor

? These Device is Pb?Free, Halogen Free and is RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Supplies

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NXH40B120MNQ0SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    雙路升壓斬波器

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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ON/安森美
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原裝正品,支持實單。
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誠信服務(wù),絕對原裝原盤
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23+
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訂貨1周 原裝正品
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