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NXH35C120L2C2SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
NXH35C120L2C2SG |
參數(shù)屬性 | NXH35C120L2C2SG 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG |
功能描述 | TMPIM 35 A CIB/CI Module |
封裝外殼 | 26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm) |
文件大小 |
277.71 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-9 18:30:00 |
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NXH35C120L2C2SG規(guī)格書詳情
NXH35C120L2C2SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH35C120L2C2SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NXH35C120L2C2SG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
管件
- 配置:
三相反相器,帶制動(dòng)器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,35A
- 輸入:
三相橋式整流器
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
26-DIP
- 描述:
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
DIP53 |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
2021+ |
- |
499 |
詢價(jià) | |||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
WLCSP-34 |
9865 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
NA |
612 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
26-PowerDIP 模塊(1,199,47, |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
兩年內(nèi) |
N/A |
2 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
- |
7087 |
NXP原廠渠道,2小時(shí)快速發(fā)貨,大量現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
6000 |
原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NXP |
24+ |
27981 |
詢價(jià) |