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NXH35C120L2C2S1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NXH35C120L2C2S1G |
| 參數(shù)屬性 | NXH35C120L2C2S1G 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP |
| 功能描述 | TMPIM 35 A CIB/CI Module |
| 封裝外殼 | 26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm） |
| 文件大小 |
277.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-25 11:15:00 |
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NXH35C120L2C2S1G規(guī)格書詳情
NXH35C120L2C2S1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH35C120L2C2S1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXH35C120L2C2S1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- 配置：
三相反相器，帶制動(dòng)器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，35A
- 輸入：
三相橋式整流器
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
26-DIP
- 描述：
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) |
