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NXH40B120MNQ1SNG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH40B120MNQ1SNG
廠商型號

NXH40B120MNQ1SNG
參數(shù)屬性

NXH40B120MNQ1SNG 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：30KW Q1BOOST FULL SIC
功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package
30KW Q1BOOST FULL SIC
絲印標(biāo)識

NXH40B120MNQ1SNG
封裝外殼

PIM32 / 模塊
文件大小

923.13 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-24 23:00:00

NXH40B120MNQ1SNG規(guī)格書詳情

NXH40B120MNQ1SNG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH40B120MNQ1SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

The NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three

channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes

provide lower conduction losses and switching losses, enabling

designers to achieve high efficiency and superior reliability.

Features

? 1200 V 40 m SiC MOSFETs

? Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

? 1200 V Bypass and Anti?parallel Diodes

? Low Inductive Layout

? Solderable Pins

? Thermistor

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS

Compliant

Typical Applications

? Solar Inverters

? Uninterruptable Power Supplies

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NXH40B120MNQ1SNG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    三，雙 - 共源

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-PIM（71x37.4）

  • 描述：

    30KW Q1BOOST FULL SIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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