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NXH50C120L2C2ESG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH50C120L2C2ESG
廠商型號

NXH50C120L2C2ESG

參數(shù)屬性

NXH50C120L2C2ESG 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

功能描述

TMPIM 50 A CIB/CI Module
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

封裝外殼

26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)

文件大小

403.36 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 16:20:00

NXH50C120L2C2ESG規(guī)格書詳情

NXH50C120L2C2ESG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH50C120L2C2ESG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NXH50C120L2C2ESG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    管件

  • 配置:

    三相反相器,帶制動器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,50A

  • 輸入:

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    26-DIP

  • 描述:

    IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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