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NXH50C120L2C2ESG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NXH50C120L2C2ESG |
參數(shù)屬性 | NXH50C120L2C2ESG 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG |
功能描述 | TMPIM 50 A CIB/CI Module |
封裝外殼 | 26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm) |
文件大小 |
403.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 16:20:00 |
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NXH50C120L2C2ESG規(guī)格書詳情
NXH50C120L2C2ESG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH50C120L2C2ESG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NXH50C120L2C2ESG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
管件
- 配置:
三相反相器,帶制動器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,50A
- 輸入:
三相橋式整流器
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
26-DIP
- 描述:
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. |
23+ |
13-XFBGA,WLCSP |
5000 |
只做原裝,假一賠十 |
詢價 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
390000 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
NXP USA Inc |
23+/24+ |
13-XFBGA |
8600 |
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 | ||
NXP |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
恩智浦 |
22+ |
NA |
500000 |
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂 |
詢價 | ||
NXP(恩智浦) |
2117+ |
WLCSP-13(2.8x2.74) |
315000 |
2000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
NXP |
24+ |
SMD |
15600 |
電可擦除可編程只讀存儲器 |
詢價 | ||
onsemi |
24+ |
26-PowerDIP 模塊(1,199,47, |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
NXP USA Inc. |
21+ |
48-VFBGA |
5280 |
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
onsemi |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
2000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
詢價 |