首頁>NXH450B100H4Q2F2PG>規(guī)格書詳情

NXH450B100H4Q2F2PG分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH450B100H4Q2F2PG
廠商型號

NXH450B100H4Q2F2PG
參數(shù)屬性

NXH450B100H4Q2F2PG 封裝/外殼為模塊；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊；產品描述：1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
功能描述

Q2BOOST Module
1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
絲印標識

NXH450B100H4Q2F2PG
封裝外殼

Q2BOOST-Case180BG / 模塊
文件大小

1.06288 Mbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-15 22:59:00

NXH450B100H4Q2F2PG規(guī)格書詳情

NXH450B100H4Q2F2PG屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產的NXH450B100H4Q2F2PG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    NXH450B100H4Q2F2PG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    管件

  • 配置：

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.25V @ 15V，150A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    56-PIM（93x47）

  • 描述：

    1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
23+
NA/
7350
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!
 詢價
onsemi
24+
Module
1262
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
 詢價
onsemi(安森美)
23+
插件
6000
誠信服務，絕對原裝原盤
 詢價
ON
23+
原廠原封
36
訂貨1周 原裝正品
 詢價
ON
24+
MODULE
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
 詢價
ON(安森美)
23+
12716
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ON-SEMI
22+
N/A
4680
只做原裝正品
 詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
 詢價
ON
2023
NA
12132
原廠代理渠道,正品保障
 詢價
onsemi(安森美)
2021+
DIP26
499
詢價

相關庫存

更多