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NXH75M65L4Q1PTG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NXH75M65L4Q1PTG
廠商型號(hào)

NXH75M65L4Q1PTG
參數(shù)屬性

NXH75M65L4Q1PTG 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
功能描述

Q1PACK Module
6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
封裝外殼

模塊
文件大小

570.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-14 13:02:00

NXH75M65L4Q1PTG規(guī)格書(shū)詳情

NXH75M65L4Q1PTG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH75M65L4Q1PTG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

This high?density, integrated power module combines

high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes.

Features

? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology

? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation

? Module Design Offers High Power Density

? Low Inductive Layout

? Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins

Typical Applications

? Solar Inverters

? Uninterruptable Power Supplies

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXH75M65L4Q1PTG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    5.5μs，10μs

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    53-PIM/Q2PACK（93x47）

  • 描述：

    6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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