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NXH75M65L4Q1SG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NXH75M65L4Q1SG |
| 參數(shù)屬性 | NXH75M65L4Q1SG 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：Q1PACK 75A 650V |
| 功能描述 | Q1PACK Module |
| 文件大小 |
570.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-5 23:00:00 |
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NXH75M65L4Q1SG規(guī)格書詳情
NXH75M65L4Q1SG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH75M65L4Q1SG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
This high?density, integrated power module combines
high?performance IGBTs with rugged anti?parallel diodes.
Features
? Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
? Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
? Module Design Offers High Power Density
? Low Inductive Layout
? Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins
Typical Applications
? Solar Inverters
? Uninterruptable Power Supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NXH75M65L4Q1SG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
5.5μs，10μs
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
56-PIM（93x47）
- 描述：
Q1PACK 75A 650V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | |||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原裝 |
詢價 | ||
ON |
2023 |
NA |
5018 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
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ON |
22+ |
MODULE |
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onsemi |
23+ |
標準封裝 |
2000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
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ON |
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ON |
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24+ |
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