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NXH80B120MNQ0SNG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號：

    NXH80B120MNQ0SNG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫存數(shù)量：

    117

  • 產(chǎn)品封裝：

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-2-2 13:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NXH80B120MNQ0SNG品牌：ON

絕對真實庫存 原裝正品

NXH80B120MNQ0SNG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝MODULE/模塊的NXH80B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    NXH80B120MNQ0SNG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    679.76 kb

  • 資料說明：

    Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 80 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 20 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NXH80B120MNQ0SNG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    雙路升壓斬波器

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

  • 描述：

    PIM POWER MODULE

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市斌騰達科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙小姐

  • 手機：

    13049883113

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82815082

  • 傳真：

    0755-82815039

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)501棟518

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