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PBRN123E

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123E

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123E_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=2.2k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=2.2kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    OA123KE

  • 制造商：

    Ohmite

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Little Demon? OA

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 功率 (W)：

    1W

  • 成分：

    炭化物

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.236" 直徑 x 0.591" 長(zhǎng)（6.00mm x 15.00mm）

  • 描述：

    RES 12K OHM 10% 1W AXIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Ohmite
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