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PBRN123YT

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP123ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123YT

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=10kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP123YT

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRP123YT-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturatio

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PC123

DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER

■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國(guó)夏普微電子公司（SMA）

PC123

EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler

■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國(guó)夏普微電子公司（SMA）

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    OA123KE

  • 制造商：

    Ohmite

  • 類(lèi)別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Little Demon? OA

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 功率 (W)：

    1W

  • 成分：

    炭化物

  • 特性：

    脈沖耐受

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.236" 直徑 x 0.591" 長(zhǎng)（6.00mm x 15.00mm）

  • 描述：

    RES 12K OHM 10% 1W AXIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Ohmite
2010+
N/A
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 詢(xún)價(jià)
OHMITE
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電阻器
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Orion(KnightElectronics-
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全新原裝 貨期兩周
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全新原裝 貨期兩周
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原裝現(xiàn)貨
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進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣(mài)
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振宏微原裝正品,假一罰百
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原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下!
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
DIP
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
更多OA123KE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:18:00

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