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OK3055E-R52	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：軸向類別：電阻器通孔式電阻器描述：RES 3M OHM 5% 1/4W AXIAL	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 歐敏歐敏電阻制造公司	OHMITE
P3055LD	文件：216.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
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P3055LDG	文件：1.01546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P3055LLG	文件：174.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor SOT-223Lead-Free	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
P3055LS	文件：215.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
P3055LSG	文件：144.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [NIKO-SEM] N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
PHD3055E	文件：72.46 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHD3055E	文件：220.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PHD3055E	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?DC/ACInverters ?MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHD3055L	文件：55.33 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP3055E	文件：248.27 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly Featuresandbenefits ■Lowconduct	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PHP3055L	文件：52.23 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePo	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX3055E	文件：96.6 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopewithanelectricallyisolatedmountingtab.Thedeviceuses’trench’technologytoachievelowon-stateresistance. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX3055L	文件：56.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticfull-packenvelope.Thedevicefeatureshighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforus	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PVA3055N	文件：68.02 Kbytes Page：6 Pages	MicroelectronicPowerICHEXFETPowerMOSFETPhotovoltaicRelaySingle-Pole,Normally-Open0-300VAC/DC,50mA	IRF International Rectifier	IRF

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
OK3055E-R52
制造商：
Ohmite
類別：
電阻器 > 通孔式電阻器
系列：
Little Rebel? OK
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±5%
功率 (W)：
0.25W，1/4W
成分：
炭膜
溫度系數(shù)：
-800/ +1500ppm/°C
封裝/外殼：
軸向
供應(yīng)商器件封裝：
軸向
大小 / 尺寸：
0.098" 直徑 x 0.268" 長（2.50mm x 6.80mm）
描述：
RES 3M OHM 5% 1/4W AXIAL

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深圳科宇泰科技有限公司	OK322532.768KJBA4SL	YXC揚興科技	21+	標準封裝	370	保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號	詢價
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