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PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN123YT

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN123YT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRP123ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=2.2kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRP123ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRP123ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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PBRP123YT

PNP800mA,40VBISSRET;R1=2.2kW,R2=10kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRP123YT

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRP123YT-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturatio

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PC123

DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER

■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    OP123

  • 制造商：

    TT Electronics/Optek Technology

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時最小輻射強度 (Ie)：

    0.4mW/cm2 @ 50mA

  • 波長：

    935nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.5V

  • 視角：

    24°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    微型粒狀

  • 描述：

    EMITTER IR 935NM 100MA MINI-PILL

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Optek(TTElectronics)
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Optek (TT Electronics)
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
TT Electronics - Optek Technol
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TO-18
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ADI/亞德諾
23+
SO-3.9
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ADI/亞德諾
23+
SO-3.9
48000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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ADI/亞德諾
22+
SO-3.9
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
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23+
SO-3.9
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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ADI
23+
SO-3.9
7000
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光電元件
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TT ELECTRONICS
21+
N/A
2500
進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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更多OP123供應商 更新時間2025-4-16 16:06:00

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