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PBRN123ET

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123Y

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123Y

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123Y_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN123YS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBRN123YT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    OP123

  • 制造商：

    TT Electronics/Optek Technology

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時(shí)最小輻射強(qiáng)度 (Ie)：

    0.4mW/cm2 @ 50mA

  • 波長(zhǎng)：

    935nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.5V

  • 視角：

    24°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    微型粒狀

  • 描述：

    EMITTER IR 935NM 100MA MINI-PILL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Optek(TTElectronics)
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
Optek (TT Electronics)
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
TT Electronics - Optek Technol
23+
TO-18
12800
原裝正品代理商最優(yōu)惠價(jià)格,現(xiàn)貨或訂貨
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
23+
SO-3.9
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
23+
SO-3.9
48000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
22+
SO-3.9
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
 詢價(jià)
ADI
23+
SO-3.9
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ADI
23+
SO-3.9
7000
詢價(jià)
TT
20+
光電元件
9136
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 詢價(jià)
TT ELECTRONICS
21+
N/A
2500
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多OP123供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-16 16:06:00

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