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P25Q16L-UWH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	Ultra Low Power, 16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-IW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-IY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-KR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-KT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-KW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UWH-KY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UXH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UXH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UXH-IW	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UXH-IY	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16L-UXH-KR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
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P25Q16SH	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SH-NXH-IR-	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SH-NXH-IR-D	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16SH-NXH-IR-X	文件：3.47658 Mbytes Page：109 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description TheP25Q16SHisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司	PUYA

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