PBSS302ND分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PBSS302ND |
| 參數(shù)屬性 | PBSS302ND 封裝/外殼為SC-74，SOT-457；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 40V 4A 6TSOP |
| 功能描述 | 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
258.17 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-31 23:54:00 |
PBSS302ND規(guī)格書(shū)詳情
1.1 General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS302PD.
1.2 Features
* Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* 4 A continuous collector current capability IC
* Up to 15 A peak current
* Very low collector-emitter saturation resistance
* High efficiency due to less heat generation
1.3 Applications
* Power management functions
* Charging circuits
* DC-to-DC conversion
* MOSFET gate driving
* Power switches (e.g. motors, fans)
* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PBSS302NDH
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
450mV @ 600mA，6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 頻率 - 躍遷：
150MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-74，SOT-457
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-TSOP
- 描述：
TRANS NPN 40V 4A 6TSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
LQFP80 |
7188 |
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詢價(jià) | ||
Nexperia(安世) |
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NXP/恩智浦 |
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NXP |
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NXP/恩智浦 |
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NEXPERIA |
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NXP/恩智浦 |
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SOT-163 |
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