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PBSS303PX分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS303PX
廠商型號

PBSS303PX
參數(shù)屬性

PBSS303PX 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 5.1A SOT89
功能描述

30 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
絲印標識

5K
封裝外殼

SC-62 / TO-243AA
文件大小

310.7 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-3 15:16:00

PBSS303PX規(guī)格書詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PBSS303PX,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    230mV @ 255mA，5.1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 5.1A SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA/安世
22+
SOT89
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
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NEXPERIA
23+
原廠原封
4000
訂貨1周 原裝正品
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NEXPERIA/安世
2021+
SOT89
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