PBSS4032SN中文資料恩智浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	PBSS4032SN
功能描述	30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
文件大小	397.91 Kbytes
頁面數(shù)量	15 頁
生產(chǎn)廠商	NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱	nxp【恩智浦】
中文名稱	恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-5-21 11:01:00
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General description

NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

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