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PBSS4230T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4230T
廠商型號

PBSS4230T

參數(shù)屬性

PBSS4230T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 2A TO236AB

功能描述

30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

3D

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

472.46 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 23:00:00

PBSS4230T規(guī)格書詳情

FEATURES

?Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

?High collector current capability IC and ICM

?High efficiency leading to less heat generation

?Reduced printed-circuit board requirements

?Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.

APPLICATIONS

?Power management

–DC/DC conversion

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

?Peripheral driver

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

PNP complement: PBSS5230T.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4230T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    320mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    230MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 2A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP(恩智浦)
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標準封裝
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全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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