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PBSS5130PAP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS5130PAP
廠商型號(hào)

PBSS5130PAP

功能描述

30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

750.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 10:39:00

PBSS5130PAP規(guī)格書詳情

1. General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. NPN/NPN complement: PBSS4130PAN.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High energy efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PBSS5130PAP

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    TRANS PNP/PNP 30V 1A DFN20

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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